２００５年中国（厦门）国际半导体照明论坛　技术专题报告

00-01-01 00:00　来源: 新闻中心

　　　　２００５年中国（厦门）国际半导体照明论坛技术专题报告（Π）于今日（１４日８：３０－１２：１０）在厦门国际会展中心国际会议厅（４Ｆ）举行。
　　此次会议由国家“８６３”计划新材料领域光电子材料和器件专家组组长陈皓明教授及日本名古屋工业大学Takashi Egawa教授主持。期间分别邀请了美国亚力桑那大学Fernando A.Ponce教授（微结构对高亮度GaN / InGaN LED内量子效率的影响）；北京大学张国义教授（用激光剥离蓝宝石衬底方法制备ＧaN基发光二极管）；日本名古屋工业大学郝茂盛教授（InGaN/GaN量子阱属性的控制）；美国堪萨斯州立大学Hongxing Jiang教授（用于固态照明的氮化物光子晶体LED和AC-LED）；香港科技大学刘纪美教授（残余应变和应力对InGaN　/GaN多量子阱LEDs性能的影响）；日本千叶大学Akihiko Yoshikawa教授（InN系三元合金生长和表征的新进展）；璨圆光电股份有限公司董事长简奉任先生（白光照明光源开发技术现况与未来展望）；清华大学罗毅教授（功率型LED光学与热学）；南京汉德森半导体照明有限公司总裁梁秉文博士（LED二维光源与数字化智能照明）；美国Veeco公司市场营销部经理Stephen Cummins先生（应用于LED制造业的Si生产模式）；Aixtron AG公司副总裁Michael Heuken教授（生产型MOCVD系统制备光电结构的现状和发展趋势）。